[发明专利]包括可变电阻元件的非易失性半导体存储器设备有效
| 申请号： | 201280010795.3 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103403807A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 高岛章;宫川英典;藤井章辅;松下大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施例，非易失性半导体存储器设备包括存储器单元阵列和控制电路。该存储器单元阵列包括存储器单元，每一个存储器单元都包括可变电阻元件，其中在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级。该控制电路对存储器单元执行复位操作和置位操作。该控制电路对处于低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行复位操作。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 可变 电阻 元件 非易失性 半导体 存储器 设备 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器设备，包括：存储器单元阵列，其包括连接在第一互连和第二互连之间的存储器单元，所述存储器单元中的每一个都包括可变电阻元件，在所述可变电阻元件中，在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级，所述复位操作是通过在所述第一互连和所述第二互连之间施加复位电压，使所述存储器单元从低电阻状态转变为高电阻状态的操作，并且所述置位操作是通过在所述第一互连和所述第二互连之间施加具有与所述复位电压不同极性的置位电压，使所述存储器单元从所述高电阻状态转变为所述低电阻状态的操作；和控制电路，其被配置成对所述存储器单元执行所述复位操作和所述置位操作，所述控制电路对处于所述低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行所述复位操作。
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