[发明专利]偏移电极TFT结构有效
| 申请号： | 201280010834.X | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103403873A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大致上关于偏移电极TFT及该偏移电极TFT的制造方法。该偏移电极TFT为一种TFT，其中一电极，为源极或是漏极，围绕另一电极。栅极电极仍位于源极电极与漏极电极两者的下方。藉由重新设计TFT，相较于常规的底部栅极TFT或顶部栅极TFT，将电压从源极电极转移至漏极电极所需要的电压较小。偏移电极TFT结构不仅可应用于硅基TFT，而是还可应用于透明TFT，所述透明TFT包括金属氧化物与金属氮氧化物，所述金属氧化物例如氧化锌或IGZO，所述金属氮氧化物例如ZnON。 | ||
| 搜索关键词： | 偏移 电极 tft 结构 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极电极，设置于基板上；栅极介电层，设置于所述栅极电极上方；沟道半导体层，设置于所述栅极介电层上方；第一电极，设置于所述沟道半导体层上方且至少部分地定义通孔；以及第二电极，设置于所述沟道半导体层上方，所述第二电极于所述通孔内且于所述第一电极的至少一部分上方延伸。
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