[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201280011372.3 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103430295A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 古川拓也;加藤祯宏;岩见正之;内海诚;梅野和行 | 申请（专利权）人： | 先进动力设备技术研究协会 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供减少了漏电流的氮化物类半导体元件及其制造方法。提供一种半导体元件，其包括衬底,在衬底上方形成的缓冲区,在缓冲区上形成的活性层,在活性层上形成的至少2个电极，缓冲区包括晶格常数不同的多个半导体层，在缓冲区表面提供比衬底背面低的电位，使衬底背面与缓冲区表面之间的电压在与缓冲区的膜厚相应的范围变化时的衬底背面与缓冲区表面之间的电容大体上固定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其中，具有：衬底，在所述衬底上方形成的缓冲区，在所述缓冲区上形成的活性层，和在所述活性层上形成的至少2个电极；所述缓冲区包括晶格常数不同的多个半导体层；在所述缓冲区表面提供比所述衬底背面低的电位，使所述衬底背面与所述缓冲区表面之间的电压在与所述缓冲区的膜厚相应的范围变化时的所述衬底背面与所述缓冲区表面之间的电容大体上固定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
