[发明专利]形成多晶台和多晶元件的方法和相关结构有效
| 申请号： | 201280011629.5 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103443386A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | A·A·迪乔瓦尼;N·J·莱昂斯;D·L·内勒姆斯;D·E·斯科特 | 申请（专利权）人： | 贝克休斯公司 |
| 主分类号： | E21B3/04 | 分类号： | E21B3/04;E21B10/573 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 柳冀 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成多晶台的方法，其包括将包含超级磨料材料的多个粒子、包含硬质材料的基底和催化剂材料置于模具中。将该多个粒子在催化剂材料存在下部分烧结，以形成附着于基底端部的具有第一渗透性的半生多晶台。将该基底从该半生多晶台上除去，和将催化剂材料从该半生多晶台上除去。然后完全烧结该半生多晶台，以形成具有降低的、第二渗透性的多晶台。在将多晶台附着于基底的过程中形成了包括基本上完全浸提的半生多晶台的中间结构。该基本上完全浸提的半生多晶台包含多个超级磨料材料的相互键合的晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 元件 方法 相关 结构 | ||
【主权项】：
一种形成多晶台的方法，其包括：将包含超级磨料材料的多个粒子、包含硬质材料的基底和催化剂材料置于模具中；在该催化剂材料存在下部分烧结该多个粒子，以形成附着于该基底端部的具有第一渗透性的半生多晶台；将该基底从该半生多晶台除去；将催化剂材料从该半生多晶台除去；和完全烧结该半生多晶台，以形成具有降低的、第二渗透性的多晶台。
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