[发明专利]易烧结性碳化硅粉末及碳化硅陶瓷烧结体无效
| 申请号： | 201280011983.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103415468A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 青木良隆;柳泉和秀 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C04B35/565;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 邹雪梅;杨思捷 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了具有大致化学计量组成的易烧结性碳化硅粉末和由其获得的致密烧结体及其制备方法，其中碳化硅陶瓷烧结体具有低电阻率。在这种易烧结性碳化硅粉末中，碳/硅的元素比率为0.96～1.04，且平均粒径为1.0～100μｍ，并且在13C-NMR光谱中化学位移范围在0～30ppm的吸收强度的积分值与在0～170ppm范围的吸收强度的积分值的比率为20%或更小。通过在加压下烧结该碳化硅粉末，可以制备具有低电阻率和高纯度的致密烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 碳化硅 粉末 陶瓷 | ||
【主权项】：
易烧结性碳化硅粉末，其碳/硅的元素比率为0.96～1.04；其平均粒径为1.0～100μｍ；并且在13C‑NMR光谱中其化学位移范围在0～30ppm的吸收强度的积分值与化学位移范围在0～170ppm的吸收强度的积分值的比率为20%或更小。
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