[发明专利]用于共晶接合工艺的非反应性阻障层金属有效
| 申请号： | 201280011992.7 | 申请日： | 2012-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103636009A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | C-K·林 | 申请（专利权）人： | 东芝技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/62;H01L33/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 晶金属层(例如金/锡)将载体晶圆结构接合至装置晶圆结构。在一个范例中，装置晶圆结构包括硅基板，外延LED结构设置于硅基板上。在外延LED结构上设置银层。载体晶圆结构包括覆盖有粘合层的导电硅基板。银层与共晶金属层之间提供有非反应性阻障金属层(例如钛)，以防止晶圆接合期间来自所述共晶层的金属(例如锡)扩散到银中。在晶圆接合期间，晶圆结构压在一起，并且保持在超过280℃的温度超过一分钟。使用所述非反应性阻障金属层容许减少制造在硅上的竖直蓝光LED的制造中所使用的昂贵铂的总量，藉此降低LED制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 接合 工艺 反应 阻障 金属 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：外延发光二极管(LED)结构，其包括设置于p型层与n型层之间的有源层；载体；共晶金属层，其设置于所述外延LED结构与所述载体之间；以及非反应性阻障金属层，其设置于所述共晶金属层与所述外延LED结构之间，其中所述非反应性金属层的厚度大于五十纳米。
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