[发明专利]使用氨预流在硅基材上使氮化铝形核的方法

摘要

用于制造用于发光二极管（LED）的晶体GaN的硅晶片，其包括硅基材、氮化铝（AlN）缓冲层及GaN上层。所述硅晶片具有至少200毫米的直径以及Si(111)1×1表面。所述AlN缓冲层覆盖所述Si(111)表面。所述GaN上层位于所述缓冲层上方。横跨整个晶片，在AlN的最底层原子平面内基本上不存在AlN的铝原子，并且横跨整个晶片，在AlN的最底层原子平面内基本上只存在AlN的氮原子。生成AlN缓冲层的方法，其包括在流动三甲基铝之前预先流动小于流过一个室的氢气的0.01体积％的第一量的氨，然后后续量的氨流过该室。

主权项

一种装置，其包括：硅（Si）基材，其中所述基材是直径至少为200毫米的晶片，及其中所述基材具有Si(111)表面；覆盖所述基材的Si(111)表面的氮化铝（AlN）缓冲层；及位于所述缓冲层上方的氮化镓（GaN）上层，其中横跨整个晶片，在氮化铝的最底层原子平面内基本上不存在氮化铝的铝原子，并且横跨整个晶片，在氮化铝的最底层原子平面内基本上只存在氮化铝的氮原子。