[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201280012159.4 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103493225A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 安杖尚美;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物类半导体发光元件包括：具有生长面（12）为m面的p型半导体区域（25）的氮化物类半导体层叠结构（20）；和设置于AldGaeN层（25）上的电极（30），其中AldGaeN层（25）由GaN类半导体形成，电极（30）以Ag为主成分且含有Mg和Zn的至少一者和Ge。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：生长面为m面的具有p型半导体区域的氮化物类半导体层叠结构；和设置于所述p型半导体区域上的电极，其中所述p型半导体区域由GaN类半导体形成，所述电极以Ag为主成分且含有Mg和Zn的至少一者和Ge。
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