[发明专利]Cu-Ni-Si系合金及其制造方法有效
申请号: | 201280012297.2 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN103403202A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 波多野隆绍;长野真之 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C22C9/06 | 分类号: | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;H01B1/02;H01L23/48;C22F1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蔡晓菡;李炳爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供兼具高强度和高缺口弯曲性的Cu-Ni-Si系合金及其制造方法。Cu-Ni-Si系合金,其含有0.8~4.5质量%的Ni和0.2~1.0质量%的Si,剩余部分由铜和不可避免的杂质组成,在板厚的45~55%的剖面位置即板厚方向的中央部,与板厚方向平行地进行EBSD测定,解析晶体取向时,Cube取向{001}<100>的面积率为10~80%、Brass取向{110}<112>的面积率为20%以下、Copper取向{112}<111>的面积率为20%以下。 | ||
搜索关键词: | cu ni si 合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
Cu‑Ni‑Si系合金,其含有0.8~4.5质量%的Ni和0.2~1.0质量%的Si,剩余部分由铜和不可避免的杂质组成,在板厚的45~55%的剖面位置即板厚方向的中央部,与板厚方向平行地进行EBSD测定,解析晶体取向时,Cube取向{001}<100>的面积率为10~80%、Brass取向{110}<112>的面积率为20%以下、Copper取向{112}<111>的面积率为20%以下。
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