[发明专利]用于制备MWT硅太阳能电池的方法

摘要

本发明公开了用于制备MWT硅太阳能电池的方法，其中施用、干燥并焙烧不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力的导电金属浆料以形成连续的金属化，所述连续的金属化包括顶部组的导电金属收集器线和n型MWT硅太阳能电池晶片的空穴的内侧的金属化，其中顶部组的导电金属收集器线叠加在n型MWT硅太阳能电池晶片的正面上的底部组的导电金属收集器线上，所述底部组的导电金属收集器线不与空穴的内侧接触。

主权项

用于制备MWT硅太阳能电池的方法，包括以下步骤：(1)提供n型硅片，所述n型硅片具有(i)在晶片的正面和背面之间形成通路的空穴、(ii)在所述空穴的整个正面和内侧之上延伸的p型发射器、(iii)略过所述空穴的内侧的在所述正面上的ARC层、和(iv)呈底部组的细的导电金属收集器线形式的正面金属化，所述底部组的细的导电金属收集器线不与所述空穴的内侧接触，(2)将导电金属浆料施用到所述底部组的细的导电金属收集器线之上并施用到硅片的空穴以形成连续的金属化，所述连续的金属化包括顶部组的细的导电金属收集器线和所述空穴的内侧的金属化，(3)干燥所施用的导电金属浆料，以及(4)焙烧干燥的导电金属浆料，从而使所述晶片达到700至900℃的峰值温度，其中所述顶部组的细的导电金属收集器线叠加在所述底部组的细的导电金属收集器线上，其中所述导电金属浆料不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力并且包含：(a)至少一种选自银、铜和镍的粒状导电金属，以及(b)有机载体。