[发明专利]磁传感器芯片以及磁传感器有效
申请号: | 201280012873.3 | 申请日: | 2012-01-21 |
公开(公告)号: | CN103562739A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 曲炳郡;熊伟 | 申请(专利权)人: | 曲炳郡 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;H01L43/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种磁传感器芯片以及磁传感器。磁传感器芯片包括磁敏感薄膜(2,21),在磁敏感薄膜(2,21)的长度方向上间隔设置有n个能够实现分段抑制退磁场的抑制单元(4),其中,n为≥2的整数。磁传感器芯片借助设置在磁敏感薄膜(2,21)的长度方向上的抑制单元(4),使磁敏感薄膜(2,21)实现退磁场抑制,从而减小、甚至消除磁敏感薄膜(2,21)的磁滞现象,进而提高磁传感器芯片的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 传感器 芯片 以及 | ||
【主权项】:
PCT国内申请,权利要求书已公开。
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