[发明专利]磁传感器芯片以及磁传感器有效

专利信息
申请号: 201280012873.3 申请日: 2012-01-21
公开(公告)号: CN103562739A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 曲炳郡;熊伟 申请(专利权)人: 曲炳郡
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;H01L43/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种磁传感器芯片以及磁传感器。磁传感器芯片包括磁敏感薄膜(2,21),在磁敏感薄膜(2,21)的长度方向上间隔设置有n个能够实现分段抑制退磁场的抑制单元(4),其中,n为≥2的整数。磁传感器芯片借助设置在磁敏感薄膜(2,21)的长度方向上的抑制单元(4),使磁敏感薄膜(2,21)实现退磁场抑制,从而减小、甚至消除磁敏感薄膜(2,21)的磁滞现象,进而提高磁传感器芯片的灵敏度。
搜索关键词: 传感器 芯片 以及
【主权项】:
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