[发明专利]发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供以均匀的膜厚形成保护膜及其上的电极膜的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在上部具有平坦部和台面型结构部，该台面型结构部具有倾斜侧面和顶面，平坦部和台面型结构部各自至少一部分由保护膜、电极膜依次覆盖，倾斜侧面通过湿式蚀刻形成，且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖平坦部的至少一部分、倾斜侧面、顶面的周缘区域，并且俯视在周缘区域的内侧具有将化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极层是以与从上述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖形成于上述平坦部上的保护膜的一部分，在上述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式形成的连续膜。

主权项

一种发光二极管，是在基板上具备包含反射层和活性层的化合物半导体层的发光二极管，其特征在于，在其上部具有平坦部和台面型结构部，所述台面型结构部具有倾斜侧面和顶面，所述平坦部和所述台面型结构部各自至少一部分由保护膜、电极膜依次覆盖，所述台面型结构部是至少包含所述活性层的一部分的结构部，其俯视为矩形，所述台面型结构部的各倾斜侧面，相对于所述基板的定向平面，以向所述台面型结构部的内部倾斜的方式偏斜地形成，所述倾斜侧面通过各向异性的湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成，所述保护膜至少覆盖所述平坦部的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域，并且俯视在所述周缘区域的内侧具有将所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，所述电极膜是以与从所述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖形成于所述平坦部上的保护膜的一部分，在所述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式形成的连续膜。