[发明专利]将屏蔽集成到用于磁阻随机存取存储器的磁隧道结装置中的方法

摘要

本发明提供用于屏蔽非易失性存储器的方法和设备，例如，屏蔽磁隧道结MTJ装置以免于磁通量。在一实例中，屏蔽层邻近MTJ装置的电极而形成，使得所述屏蔽层大体上环绕所述电极的表面，且金属线耦合到所述屏蔽层。所述金属线可通过通孔耦合到所述屏蔽层。

主权项

一种用于通过利用集成的屏蔽设备来保护磁隧道结MTJ胞元的方法，其包括：在衬底上形成MTJ装置，其中所述MTJ装置包括：底部电极；一个或一个以上钉扎层；势垒层；一个或一个以上自由层；一个或一个以上硬掩模层；以及顶部电极；形成单屏蔽层，该单屏蔽层在所述顶部电极上方延展，并在所述顶部电极、所述一个或一个以上硬掩模层、以及所述一个或一个以上自由层的至少一部分的侧边周围延展，以形成帽状磁屏蔽结构，所述顶部电极、所述一个或一个以上硬掩模层和所述一个或一个以上自由层中的每一者的至少部分位于所述帽状磁屏蔽结构中。