[发明专利]半导体光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280013594.9 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103518297A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 谷口英广;大木泰 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光器件，其具备第一导电型半导体衬底，在半导体衬底的上方依次沉积的第一导电型的第一熔覆层，活性层，第二导电型的第二熔覆层，接触层；活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部及比窗部混晶度小的非窗部；接触层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相比，其与氢的亲和性更强，且位于所述第一区域的下侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体光器件，其中，具备：第一导电型半导体衬底，第一导电型的第一熔覆层，沉积在所述半导体衬底的上方，活性层，沉积在所述第一熔覆层的上方，第二导电型的第二熔覆层，沉积在所述活性层的上方，接触层，沉积在所述第二熔覆层上；所述活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部以及比所述窗部混晶度小的非窗部；所述接触层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相比，其与氢的亲和性更强，且位于所述第一区域的下侧。
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