[发明专利]具有P型隔离区的多段量子级联激光器有效
| 申请号： | 201280013813.3 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103430406A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | C·G·卡诺;谢峰;C-E·扎 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/0625 | 分类号： | H01S5/0625;H01S5/16;H01S5/34;H01S5/223 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括沿激光器的波导轴延伸的一个或多个p型电隔离区（40）和多个电隔离的激光器段（10,12,16）。有源波导芯（20）被夹在上侧（22,26）和下侧（24）n型包覆层之间，且有源芯以及上侧和下侧n型包覆层延伸通过该量子级联激光器的电隔离的激光器各段。上侧n型包覆层的一部分包括足够多的p型掺杂剂变为p型且变为电隔离区，该电隔离区沿着用于分离该量子级联激光器各段的突出物、横跨上侧n型包覆层的厚度的至少一部分而延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 量子 级联 激光器 | ||
【主权项】：
一种量子级联激光器，包括沿所述激光器的波导轴延伸的一个或多个p‑型电隔离区和多个电隔离的激光器段，其中：所述量子级联激光器包括夹在上侧和下侧n‑型包覆层之间的有源波导芯；所述有源芯以及所述上侧和下侧n‑型包覆层延伸通过所述量子级联激光器的电隔离的激光器段；所述上侧n‑型包覆层的一部分包括足够多的p‑型掺杂剂以定义p‑型电隔离区，所述p‑型电隔离区沿着用于分离所述量子级联激光器的电隔离的激光器段的突出物、横跨所述上侧n‑型包覆层的厚度的至少一部分而延伸；且所述芯层包括交替的半导体层，被配置为放大因同一能带中的能态之间的载流子迁跃而发出的光。
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