[发明专利]减少拜耳法中的铝硅酸盐污垢有效
申请号: | 201280013933.3 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN103443109A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | T·拉;J·D·吉尔戴;K·L·奥布莱恩;E·C·菲利普斯;K·B·萨旺特;D·H·斯林克曼;F·J·斯维辛基;崔吉 | 申请(专利权)人: | 纳尔科公司 |
主分类号: | C07F7/10 | 分类号: | C07F7/10;B01D21/01 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈季壮 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种在拜耳法设备的液体回路中抑制DSP污垢积聚的方法。所述方法包括将一种以上的特定的基于硅烷的小分子加入到液体流体回路中。这些污垢抑制剂减少DSP污垢形成,而因此提高流体生产量,提高拜耳法设备可以运行的次数,以及减少昂贵和危险的拜耳法设备的洗涤的需求。因此,本发明提供了显著降低的运行拜耳法的总成本的方法。 | ||
搜索关键词: | 减少 拜耳法 中的 硅酸盐 污垢 | ||
【主权项】:
1.减少拜耳法中含铝硅酸盐污垢的方法,其包括如下步骤:向拜耳法液流中加入铝硅酸盐污垢抑制量的组合物,所述组合物包含至少一种小分子;该至少一种小分子包含至少三种成分:一种为R1成分,一种为R2成分和一种为R3成分,在所述小分子内的诸成分根据通式排列:
其中,所述小分子可以是碳酸酯、碳酸氢酯、氨基甲酸酯、脲、酰胺、及其盐中的至少一种,以及:R1选自:H、烷基、胺基、结构(A)和结构(B);
R2独立地选自:H、烷基、胺基、G和E;G为选自3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三烷氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基烷基二烷氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基二烷基单烷氧基硅烷、3-异氰酰基丙基三烷氧基硅烷、3-异氰酰基丙基烷基二烷氧基硅烷、3-异氰酰基丙基二烷基单烷氧基硅烷、3-氯丙基三烷氧基硅烷、3-氯丙基烷基二烷氧基硅烷和3-氯丙基二烷基单烷氧基硅烷中的一项,以及其中,G任选地被水解;E为2-乙基己基缩水甘油醚、C3-C22缩水甘油醚、C3-C22异氰酸酯、C3-C22氯化物、C3-C22溴化物、C3-C22碘化物、C3-C22硫酸酯、C3-C22苯酚缩水甘油醚及其任何组合,R3独立地选自:H、烷基、胺基、G和E,以及n为2至6的整数。
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