[发明专利]干式剥离硼-碳膜的方法无效

专利信息
申请号: 201280015166.X 申请日: 2012-04-27
公开(公告)号: CN103443909A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: K·D·李;S·拉蒂;R·萨卡拉克利施纳;M·J·西蒙斯;I·贾勒米;金秉宪 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施例大致涉及干式剥离硼-碳膜的方法。在一个实施例中,利用氢与氧的交替等离子体来移除硼-碳膜。在另一实施例中,利用共同流动的氧与氢等离子体来移除含硼-碳的膜。除了上述氧等离子体的任一个以外可利用一氧化二氮等离子体,或者可利用一氧化二氮等离子体来取代上述氧等离子体的任一个。在另一实施例中,利用自水蒸气产生的等离子体来移除硼-碳膜。硼-碳移除工艺还可包括在硼-碳膜的移除之前的视情况的聚合物移除工艺。聚合物移除工艺包括将硼-碳膜暴露至NF3,以自硼-碳膜的表面移除在基板蚀刻工艺期间产生的任何碳基聚合物。
搜索关键词: 剥离 方法
【主权项】:
一种用于自基板剥离膜的方法,所述方法包括:将基板置于腔室中,所述基板上具有膜,所述膜包括硼与碳的原子比在约1:1和约3:1之间的硼与碳;将所述膜暴露至数个氧离子或自由基以及数个氢离子或自由基,以自所述硼与碳产生一种或多种挥发性化合物;以及自所述腔室排出所述一种或多种挥发性化合物。
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