[发明专利]干式剥离硼-碳膜的方法无效
申请号: | 201280015166.X | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN103443909A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | K·D·李;S·拉蒂;R·萨卡拉克利施纳;M·J·西蒙斯;I·贾勒米;金秉宪 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例大致涉及干式剥离硼-碳膜的方法。在一个实施例中,利用氢与氧的交替等离子体来移除硼-碳膜。在另一实施例中,利用共同流动的氧与氢等离子体来移除含硼-碳的膜。除了上述氧等离子体的任一个以外可利用一氧化二氮等离子体,或者可利用一氧化二氮等离子体来取代上述氧等离子体的任一个。在另一实施例中,利用自水蒸气产生的等离子体来移除硼-碳膜。硼-碳移除工艺还可包括在硼-碳膜的移除之前的视情况的聚合物移除工艺。聚合物移除工艺包括将硼-碳膜暴露至NF3,以自硼-碳膜的表面移除在基板蚀刻工艺期间产生的任何碳基聚合物。 | ||
搜索关键词: | 剥离 方法 | ||
【主权项】:
一种用于自基板剥离膜的方法,所述方法包括:将基板置于腔室中,所述基板上具有膜,所述膜包括硼与碳的原子比在约1:1和约3:1之间的硼与碳;将所述膜暴露至数个氧离子或自由基以及数个氢离子或自由基,以自所述硼与碳产生一种或多种挥发性化合物;以及自所述腔室排出所述一种或多种挥发性化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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