[发明专利]用于通过固相扩散形成超浅掺杂区域的方法

摘要

提供了一种用于在衬底中形成超浅掺杂剂区域的方法。在一个实施方案中，该方法包括沉积直接接触衬底的掺杂剂层，该掺杂剂层包含氧化物、氮化物或氧氮化物，其中掺杂剂层包含选自硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）、铊（Tl）、氮（N）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb）和铋（Bi）中的掺杂剂。该方法还包括对掺杂剂层进行图案化，以及通过热处理使掺杂剂从图案化的掺杂剂层扩散到衬底中而在衬底中形成超浅掺杂剂区域。

主权项

一种用于在衬底中形成超浅硼(B)掺杂剂区域的方法，所述方法包括：通过原子层沉积(ALD)来沉积直接接触所述衬底的硼掺杂剂层，所述硼掺杂剂层包含通过硼酰胺前体和反应物气体的交替气态性暴露而形成的氧化物、氮化物或氧氮化物；对所述硼掺杂剂层进行图案化；以及利用热处理通过使硼从图案化的硼掺杂剂层扩散到所述衬底中而在所述衬底中形成所述超浅硼掺杂剂区域，其中所述超浅硼掺杂剂区域的厚度在1nm和10nm之间。