[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201280015572.6 | 申请日： | 2012-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN103477443B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李真宇 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 许向彤,陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种太阳能电池及其制造方法。根据实施例的太阳能电池包括衬底；在所述衬底上的透明电极层；在所述透明电极层上的缓冲层；在所述缓冲层上的光吸收层；在所述光吸收层上的背侧电极层；以及在所述透明电极层的顶表面上形成的并且具有第一斜面和第二斜面的多个凹陷部分。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：衬底；在所述衬底上的透明电极层；在所述透明电极层上的缓冲层；在所述缓冲层上的光吸收层；在所述光吸收层上的背侧电极层；在所述透明电极层的顶表面上形成的并且具有第一斜面、第二斜面、第三斜面和第四斜面的多个凹陷部分，在所述多个凹陷部分的底表面中形成的并且与所述第一斜面和所述第二斜面接触的弯曲表面，其中，所述透明电极层的厚度h形成为在0.5微米至1微米的范围内，其中，所述多个凹陷部分的厚度在所述透明电极层的厚度的10％至70％的范围内，其中，所述透明电极层、所述缓冲层、所述光吸收层和所述背侧电极层具有与所述多个凹陷部分相对应的凸出部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
