[发明专利]碳化硅纵型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201280015887.0 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103460390B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 原田祐一;原田信介;星保幸;岩室宪幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于在对漏极电极施加高电压时，实现不会对栅极绝缘膜施加大的电场，能够提高栅极绝缘膜的破坏耐量的碳化硅纵型场效应晶体管。该碳化硅纵型场效应晶体管的特征在于，具备第1导电型的碳化硅基板和形成于该第1导电型碳化硅基板表面上的低浓度的第1导电型碳化硅层；选择性地形成于该第1导电型碳化硅层表面上的第2导电型区域；形成于该第2导电型区域内的第1导电型源极区域；在第2导电型区域内的第1导电型源极区域之间形成的高浓度的第2导电型区域；与该高浓度的第2导电型区域以及第1导电型源极区域电连接的源极电极；从形成于相邻的第2导电型区域的第1导电型源极区域到第2导电型区域以及第1导电型碳化硅层上所形成的栅极绝缘膜；形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极；第1导电型碳化硅基板的背面侧上的漏极电极，该碳化硅纵型场效应晶体管中，在第2导电型区域与第1导电型碳化硅层之间设置雪崩产生单元。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种碳化硅纵型场效应晶体管，具备：第1导电型的碳化硅基板和在该第1导电型碳化硅基板表面上形成的低浓度的第1导电型碳化硅层；在该第1导电型碳化硅层表面上选择地形成的第2导电型区域；在该第2导电型区域内形成的第1导电型源极区域；在第2导电型区域内的第1导电型源极区域之间形成的高浓度的第2导电型区域；与该高浓度的第2导电型区域以及第1导电型源极区域电连接的源极电极；在从形成在相邻的第2导电型区域上的第1导电型源极区域到第2导电型区域以及第1导电型碳化硅层上所形成的栅极绝缘膜；形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极；和第1导电型碳化硅基板的背面侧上的漏极电极，在该碳化硅纵型场效应晶体管中，第2导电型区域的一部分形成得较浅，第2导电型区域中形成得较浅的部分形成在宽度比第2导电型区域小且与高浓度的第2导电型区域重叠的位置上。
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