[发明专利]光电元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280015921.4 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN103477408B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 关口隆史;铃鹿理生;林直毅;山木健之;西出宏之;小柳津研一;加藤文昭;佐野直树 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社;学校法人早稻田大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 陈平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种光电元件(A),所述光电元件(A)包括第一电极(2)、与所述第一电极(2)相对安置的第二电极(3)、设置在所述第一电极(2)的与所述第二电极(3)相对的表面上的电子输送层(1)、负载在所述电子输送层(1)上的光学增感剂(5)和插入所述第一电极(2)与所述第二电极(3)之间的空穴输送层(4)。所述的电子输送层(1)包括含有有机分子的填充部分(8)。
搜索关键词: 光电 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光电元件,所述光电元件包括:第一电极;与所述第一电极相对安置的第二电极;设置在所述第一电极的面上的电子输送层,所述面与所述第二电极相对;负载在所述电子输送层上的光学增感剂;和插入所述第一电极与所述第二电极之间的空穴输送层,其中所述电子输送层包括:含有有机分子的填充部分,并且所述有机分子具有由[化学式1]表示的联吡啶结构单元,[化学式1]A‑是抗衡阴离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社;学校法人早稻田大学,未经松下电器产业株式会社;学校法人早稻田大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280015921.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top