[发明专利]通过结晶湿法蚀刻制备的片上衍射光栅有效
| 申请号： | 201280016352.5 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103477254A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 那允中;J·赫克;荣海生 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例可包括：在(110)硅晶片衬底上形成光掩模，其中该光掩模包括平行四边形开口的周期性阵列，以及随后在所述（110）硅晶片衬底上进行时控湿法蚀刻以形成蚀刻进（110）硅晶片衬底中的衍射光栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 结晶 湿法 蚀刻 制备 衍射 光栅 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将湿蚀刻剂施加到（110）硅衬底，其中所述（110）硅衬底包括光掩模，所述光掩模包括平行四边形的周期性阵列；以及将衍射光栅结构形成于所述（110）硅衬底中，其中所述（110）硅衬底的｛111｝面在所述（110）硅衬底的蚀刻期间形成蚀刻阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280016352.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
