[发明专利]接合基板制作方法、接合基板、基板接合方法、接合基板制作装置以及基板接合体有效
| 申请号： | 201280016996.4 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103493177A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 须贺唯知;山内朗;近藤龙一;松本好家 | 申请（专利权）人： | 须贺唯知;邦德泰克株式会社;网络技术服务株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K20/00;B23K20/14;B23K20/16;B23K20/24 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用范围较广的基板接合技术。在接合面内形成硅薄膜，并利用能量粒子、金属粒子对基板与基板之间的交界处进行表面处理。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 制作方法 方法 制作 装置 以及 | ||
【主权项】：
一种接合基板制作方法，其用于制作形成有接合面的基板即接合基板，其中，该接合基板制作方法包括：第1表面处理步骤，对基板的表面照射包含能量粒子的放射粒子来对基板的表面进行表面处理；以及第2表面处理步骤，对上述基板的表面照射包含金属粒子的放射粒子来对上述基板的表面进行表面处理，上述第1表面处理步骤和第2表面处理步骤的实施结果是制成上述接合基板，上述第1表面处理步骤和上述第2表面处理步骤的实施被以使金属粒子分布在上述接合基板的表面层的母材中的方式控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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