[发明专利]导电性构件、处理盒和电子照相设备有效
| 申请号： | 201280017244.X | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103492957A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 都留诚司;山内一浩;山田聪;村中则文;村中由夏 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G15/02 | 分类号： | G03G15/02;G03G15/00;G03G15/08 |
| 代理公司： | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人： | 魏启学 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种电子照相用导电性构件，所述电子照相用导电性构即使在长期施加高电压时电阻也几乎不升高。所述电子照相用导电性构件包括导电性支承体和导电性弹性层，其特征在于所述弹性层含有由非离子导电性嵌段(A嵌段)和具有离子交换基团的离子导电性嵌段(B嵌段)构成的A-B-A型嵌段共聚物；所述嵌段共聚物形成微相分离结构；其中所述A为任何选自由球形结构、柱状结构和共连续结构组成的组的结构，而B嵌段为A嵌段结构的基质。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 构件 处理 电子 照相 设备 | ||
【主权项】：
一种电子照相用导电性构件，包含：导电性支承体和导电性弹性层，其中：所述弹性层包含A‑B‑A型嵌段共聚物；其中在所述A‑B‑A型嵌段共聚物中的A嵌段包含非离子导电性嵌段，和B嵌段包含具有离子交换基团的离子导电性嵌段；其中：所述A‑B‑A型嵌段共聚物形成微相分离结构；并且所述微相分离结构包括由所述B嵌段形成的基质相，和选自由球形结构、柱状结构和共连续结构组成的组的任意结构，其中所述结构由所述A嵌段形成。
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