[发明专利]双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201280017459.1 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103597602A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | M·拉希莫;A·科普塔;T·克劳森;M·安登纳 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;胡莉莉 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 提供一种制造双极穿通半导体器件的方法，其中实施下列步骤：(a)提供具有第一和第二侧(15，17)的晶圆(1)，其中在第一侧(17)上设置具有恒定高掺杂浓度的第一导电类型的高掺杂层(34)，(b)在第一侧(15)上外延生长第一导电类型的低掺杂层(22)，(c)随后实施扩散步骤，通过该步骤在层(34，22)的间隔处形成扩散的间隔区域(32)，(d)随后在第一侧(15)上形成至少一个第二导电类型的层，(e)随后在第二侧(17)上的高掺杂层(34)内减少晶圆厚度从而形成缓冲层(3)，其包含间隔区域(32)和高掺杂层的剩余部分，其中缓冲层(3)的掺杂分布曲线从高掺杂区域(36)的掺杂浓度平稳降低至漂移层(2)的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 双极穿通 半导体器件 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
制造双极穿通半导体器件的方法，所述双极穿通半导体器件至少具有包含第一和第二导电类型的层的双层结构，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，其中为了形成该半导体器件，实施下列步骤：(a)提供晶圆(1)，其具有第一侧(15)和第二侧(17)以及晶圆厚度，其中在第一侧(17)上设置第一导电类型的高掺杂层(34)，其具有恒定高掺杂浓度，(b)通过外延生长在第一侧(15)上形成第一导电类型的低掺杂层(22)，(c)随后实施扩散步骤从而形成扩散的间隔区域(32)，其包含低掺杂层(22)和高掺杂层(34)的部分，这些部分设置为彼此相邻，该间隔区域(32)具有高于低掺杂层的掺杂浓度且低于高掺杂层的掺杂浓度的掺杂浓度，其中低掺杂层的剩余部分形成漂移层(2)，(d)随后在第一侧(15)上形成至少一个第二导电类型的层，(e)随后在第二侧(17)上的高掺杂层(34)内减少晶圆厚度，从而形成缓冲层(3)，其包含间隔区域(32)和形成高掺杂区域(36)的高掺杂层的剩余部分，其中缓冲层(3)的掺杂分布曲线从高掺杂区域(36)的掺杂浓度平稳降低至漂移层(2)的掺杂浓度。
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