[发明专利]光电子器件和铜络合物作为掺杂材料以用于对层进行掺杂的应用

摘要

在不同的实施例中提供一种光电子器件（500，600，700），所述光电子器件具有：湿法化学处理的空穴注入层（508）；和与湿法化学处理的空穴注入层（508）相邻的、掺杂有掺杂材料的附加层（510），其中掺杂材料具有铜络合物，所述铜络合物具有至少一个配位体，所述配位体具有根据式（I）的化学结构：（I），其中，E1和E2分别彼此无关地是下述元素的一种：氧、硫或硒，并且R选自：氢或者取代的或未取代的、枝化的、线状的或环状的碳氢化合物。

主权项

1.一种光电子器件（500，600，700），具有：●湿法化学处理的空穴注入层（508）；和●与湿法化学处理的所述空穴注入层（508）相邻的掺杂有掺杂材料的附加层（510），其中所述掺杂材料具有铜络合物，所述铜络合物具有至少一个配位体，所述配位体具有根据式I的化学结构：其中E₁和E₂分别彼此无关地是下述元素的一种：氧、硫或硒，并且R选自：氢或者取代的或未取代的、枝化的、线状的或环状的碳氢化合物。