[发明专利]用于依次重置磁传感器阵列的元件的装置和方法有效
| 申请号： | 201280017535.9 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103460065A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | B·恩格尔;P·马瑟 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体工艺和装置提供具有三个差分传感器配置的高性能磁场传感器，其仅需要两个不同的钉扎轴，其中以具有四个未屏蔽磁隧道结传感器阵列的Wheatstone桥结构来形成每个差分传感器，其每个包括磁场脉冲生成器以用于有选择地施加场脉冲以稳定或恢复感测层的易轴磁化，从而在测量小磁场之前将磁化取向成正确的配置。将场脉冲依次施加到Wheatstone桥结构的感测层群组，由此允许较高电流脉冲或较大传感器阵列尺寸以获得最大的信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 依次 重置 传感器 阵列 元件 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种场传感器，包括：第一桥电路，包括配置为感测沿第一维度的场的第一多个磁元件，所述第一多个磁元件包括i个磁元件群组，其中i大于等于2；以及配置为邻近所述i个群组中的每一个依次施加电流脉冲且由此配置所述场传感器以用于测量沿所述第一维度的场的电路系统。
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