[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶硅的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280017986.2 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN103459336A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 木村明浩;星亮二;三田村伸晃;镰田洋之 申请(专利权)人: 信越半导体股份有限公司
主分类号: C03B20/00 分类号: C03B20/00;C30B15/10;C30B29/06
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张永康;向勇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法,其特征在于,其包含:步骤a,该步骤准备由石英玻璃所构成,且具有坩埚形状的坩埚基材;步骤b,该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料;步骤c,该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状;及,步骤d,该步骤进行热处理,通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此,提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法,所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错,并且,具有高耐热性,可以抑制生产性、成品率的降低。
搜索关键词: 石英玻璃 坩埚 及其 制造 方法 以及 单晶硅
【主权项】:
一种石英玻璃坩埚的制造方法,其特征在于,其包含:步骤a,该步骤a准备由石英玻璃所构成,且具有坩埚形状的坩埚基材;步骤b,该步骤b利用直接法或火焰水解法来制作合成石英玻璃材料;步骤c,该步骤c将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状;及,步骤d,该步骤d进行热处理,通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。
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