[发明专利]太赫兹调制器有效

专利信息
申请号: 201280018129.4 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN103733122B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: S·瓦桑;F·帕尔多;J-L·珀卢阿尔;J-J·格雷费;A·阿尔尚博;F·马基耶 申请(专利权)人: 国立科学研究中心
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 陈松涛,夏青
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据一个方面,本发明涉及一种用于给定使用频带的太赫兹调制器。所述调制器包括极性半导体晶体(330),其具有覆盖所述使用频带的剩余射线波段,并且具有与电介质媒介的至少一个界面;耦合装置(330),其允许由所述界面支撑的界面声子极化激元(IPhP)与在所述使用频带中的预定频率的入射辐射(2)的谐振耦合;以及控制装置(22),其通过修改所述极性晶体(10)的剩余射线波段中的所述极性晶体的电介质函数,而倾向于修改所述界面声子极化激元和所述入射辐射(2)之间的耦合强度。
搜索关键词: 赫兹 调制器
【主权项】:
一种用于给定使用频带(Δν)中的太赫兹调制器(1),其特征在于:所述太赫兹调制器(1)包括:‑半导体极性晶体(10),其具有覆盖所述使用频带的剩余射线波段,并且具有与电介质媒介的至少一个界面;‑耦合装置(30),其允许由所述界面支撑的界面声子极化激元(IPhP)与在所述使用频带中的频率的入射辐射(2)的谐振耦合;以及‑控制装置(20),其通过修改所述极性晶体(10)的剩余射线波段中的所述极性晶体(10)的电介质函数,而倾向于修改所述界面声子极化激元和所述入射辐射(2)之间的耦合强度。
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