[发明专利]太赫兹探测单元

摘要

根据本发明的第一方面，本发明涉及一种用于对包括在给定频谱探测波段中的频率的辐射进行探测的太赫兹探测单元，所述单元包括：极性半导体晶体结构以使其形成至少一个晶体厚片，所述晶体(330)具有覆盖所述频谱探测带的剩余射线谱带，并且包括与电介质装置的至少一个界面；由厚片结构(330)得到的耦合装置，每个厚片形成光学天线，由所述界面支持的界面声子极化激元(IPhP)与具有在频谱探测带内频率的入射辐射谐振耦合；以及分别与界面的第一和第二端部电接触的至少一个第一和一个第二连接端子(301、302)，所述端部相互相对，并且所述连接端子将连接至用于在界面的相对端部之间测量晶体的阻抗变化的电子读取电路。

主权项

一种用于对包括在给定频谱探测波段中的频率的辐射进行探测的太赫兹探测单元(1)，包括：‑半导体极性晶体(10)，具有覆盖所述频谱探测波段的剩余射线波段并且具有与电介质媒介的至少一个界面；‑耦合装置(30)，允许由所述界面支撑的界面声子极化激元(IPhP)与包括在所述频谱探测波段中的频率的入射辐射(2)的谐振耦合；以及‑至少一个第一和一个第二连接端子(301、302)，分别与所述界面的第一和第二相对端部电接触，并且旨在连接至用于测量所述界面的所述相对端部之间的所述晶体的阻抗变化的电子读取电路。