[发明专利]用于选择性抛光氮化硅材料的组合物及方法有效
| 申请号： | 201280018534.6 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103492519A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | W.沃德 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供适合在化学机械抛光(CMP)方法中抛光含氮化硅基材的酸性含水抛光组合物。该组合物在使用时包含：0.01至2重量%的微粒状煅烧氧化铈磨料；10至1000ppm的至少一种阳离子聚合物；任选的10至2000ppm的聚氧化烯聚合物；以及用于该组合物的含水载体。该至少一种阳离子聚合物选自聚(乙烯基吡啶)聚合物及聚(乙烯基吡啶)聚合物与经季铵取代的聚合物的组合。本发明还提供使用该组合物以抛光基材与优先于多晶硅而自基材选择性去除氮化硅的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 抛光 氮化 材料 组合 方法 | ||
【主权项】：
适合在化学机械抛光(CMP)方法中抛光含氮化硅基材的酸性含水抛光组合物，该组合物包含：(a)0.01至10重量%的微粒状煅烧氧化铈磨料；(b)10至100,000ppm的至少一种阳离子聚合物，其选自(a)聚(乙烯基吡啶)聚合物及(b)聚(乙烯基吡啶)聚合物与经季铵取代的聚合物的组合；(c)任选的10至200,000ppm的聚氧化烯聚合物；以及(d)用于该组合物的含水载体。
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