[发明专利]氧化物型半导体材料及溅镀靶有效
| 申请号： | 201280018536.5 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103608924A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 德地成纪;石井林太郎;附田龙马;久保田高史;高桥广己 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C04B35/00;C04B35/453;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体材料 溅镀靶 | ||
【主权项】：
一种氧化物型半导体材料，为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征为：含有Zr作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。
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