[发明专利]低温氧化硅转换

摘要

本发明描述了一种形成氧化硅层的方法。所述方法首先通过自由基组分化学气相沉积（CVD）来沉积含硅-氮-氢（聚硅氮烷）的膜。通过在低基板温度下让聚硅氮烷膜暴露于湿气，将聚硅氮烷膜转换成氧化硅。还可把聚硅氮烷膜浸入具有氧与氢两者的液体（例如，水、过氧化氢和/或氢氧化铵）中。这些转换技术可单独或依序结合地使用。本文所述的转换技术加速了转换，产生了值得制造的膜，并且免除了对高温氧化处理的要求。臭氧处理可早于转换技术。

主权项

一种在基板上形成氧化硅层的方法，所述方法包含：通过下列步骤形成含硅‑氮‑氢的层：使未激发前驱物流入远程等离子体区，以产生自由基前驱物；在无等离子体的基板处理区中，结合含硅前驱物与所述自由基前驱物；以及在所述基板上沉积所述含硅‑氮‑氢的层；在含臭氧气氛中，固化所述含硅‑氮‑氢的层，以将所述含硅‑氮‑氢的层转换成含硅‑氧的层；以及让所述含硅‑氧的层暴露于相对湿度为至少50%的潮湿气氛，以将所述含硅‑氧的层转换成所述氧化硅层。