[发明专利]光电结构无效
| 申请号： | 201280018590.X | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103534816A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 沙伦·泽哈维 | 申请（专利权）人： | 集成光伏公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;崔利梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种低成本导电硅层上的光电器件。该器件包括形成有源区的两个半导体层；可选层包括“异质结层”、一个或多个势垒层、盖层、导电和/或金属镀层、抗反射层和分布布拉格反射器。该器件可以包括多个有源区。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 结构 | ||
【主权项】：
一种用于将入射辐射转换为电能的光电器件，包括：第一层，包括硅以使得少数载流子寿命小于1μs并且层厚度约为50微米或更大；与所述第一层相邻的第一导电类型的第二层，包括半导体以使得少数载流子寿命大于100纳秒并且层厚度约为10微米或更小；与所述第二层接触的第二导电类型的第三层，包括半导体以使得少数载流子寿命大于100纳秒，并且其中所述第二层和所述第三层可操作来作为有源区，以使得入射辐射的一部分被转换成电能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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