[发明专利]在衬底中生成高质量的孔或凹进或井的方法无效

专利信息
申请号: 201280018819.X 申请日: 2012-07-12
公开(公告)号: CN103476555A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 克里斯蒂安·施密特;莱安德·迪特曼;阿德里安·柴泽;斯文德·霍耶 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: B26F1/28 分类号: B26F1/28;B23K26/38;B23K26/40;H03K3/537
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 关兆辉;谢丽娜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及在电绝缘或半导电的衬底中生成孔或井的方法,并且涉及通过该方法在衬底中生成的孔或井。本发明同样涉及通过所述方法在衬底中生成的孔或井的阵列。
搜索关键词: 衬底 生成 质量 凹进 方法
【主权项】:
一种在衬底中生成孔或凹进或井的方法,所述方法包括如下步骤:a)提供室温下为电绝缘或半导电的衬底,并将所述衬底放置在被连接到用户控制的电压源的至少两个电极之间,b)在所述衬底的区域中使衬底材料熔化,在所述区域将要通过使用激光束、优选为聚焦的激光束、以及可选地经由这些电极向所述衬底施加的AC电压来加热所述区域而生成所述孔或凹进或井,c)借助所述用户控制的电压源和所述电极在所述衬底的所述区域的两端施加用户限定了幅度的电压,所述电压足以引起通过所述衬底或所述区域的电流增加,从而将限定量的电能施加到所述衬底,并从所述衬底耗散电能,其中,所述衬底夹在第一和第二调整层之间,所述第一和第二调整层位于所述衬底的相反侧面上,所述第一调整层位于在步骤b)中暴露在所述激光束下、优选为所述聚焦的激光束下的所述衬底的一个侧面上,所述第一调整层允许限定将要生成所述孔或凹进或井的所述区域的尺寸、优选为横截面,允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积,并允许使衬底表面屏蔽热,并且所述第二调整层位于与所述第一调整层位于其上的所述侧面相反的侧面上,所述第二调整层允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积,并允许使衬底表面屏蔽热。
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