[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201280018902.7 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103493187A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤荣一;青山俊之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开的薄膜晶体管具有：在基板(21)上形成的栅电极(22)；以覆盖该栅电极(22)的方式形成的栅绝缘膜(23)；在该栅绝缘膜(23)上形成的氧化物半导体层(24)；以覆盖该氧化物半导体层(24)的端部的方式形成的源电极(25s)及漏电极(25d)；和在源电极(25s)及漏电极(25d)和氧化物半导体层(24)上以覆盖它们的方式形成的钝化膜(26)。钝化膜(26)由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其具有：在基板上形成的栅电极；以覆盖该栅电极的方式形成的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上形成的氧化物半导体层；以覆盖该氧化物半导体层的端部的方式形成的源电极及漏电极；和在所述源电极及漏电极和所述氧化物半导体层上以覆盖所述源电极及漏电极和所述氧化物半导体层的方式形成的钝化膜，其中，所述钝化膜由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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