[发明专利]用于金属-非金属化合物的表面活性剂晶体生长的方法无效
| 申请号： | 201280019383.6 | 申请日： | 2012-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103562149A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 摩西·艾纳夫 | 申请（专利权）人： | 摩赛科结晶公司 |
| 主分类号： | C03B9/00 | 分类号： | C03B9/00;C03B23/00;C03B25/00;C30B29/40;C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 以色列海*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 用于从金属-非金属(MN)化合物的表面活性剂晶体生长的方法，其包括以下程序：提供晶种，引入第一金属的原子以与晶种接触因而在晶种表面上形成薄的液态金属润湿层，设定晶种的温度低于在润湿层中溶解MN分子所需的最低温度并高于第一金属的熔点，而每一个MN分子是由第二金属原子和第一非金属的原子形成的，引入形成MN表面活性剂单层的MN分子从而促进在MN表面活性剂单层和晶种表面之间润湿层的形成，以及调节润湿层的厚度从而在晶种上生长MN化合物的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 非金属 化合物 表面活性剂 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
用于从金属‑非金属(MN)化合物的表面活性剂晶体生长的方法，其包括如下程序：提供晶种；引入第一金属的原子与所述晶种接触以在所述晶种的至少一个表面上形成薄的液态金属润湿层；设定所述晶种的温度低于用于在所述薄的液态金属润湿层中溶解MN分子所需的最低温度并高于所述第一金属的熔点，而每一个所述MN分子是由至少一个第二金属的原子和至少一个第一非金属的原子形成的；引入形成MN表面活性剂单层的所述MN分子，从而促进在所述MN表面活性剂单层和所述晶种的所述至少一个表面之间所述薄的液态金属润湿层的形成；和调节所述薄的液态金属润湿层的厚度使得所述MN表面活性剂单层的至少一些所述MN分子与所述晶种的所述至少一个表面偶联，从而在所述晶种上生长所述MN化合物的外延层。
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