[发明专利]用于纳米孔阵列的自密封流体通道有效
| 申请号： | 201280019456.1 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103503189A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 党兵;彭红波 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成纳米孔阵列的方法包括：对衬底的正面层进行构图以形成正面沟槽，所述衬底包括设置在所述正面层与背面层之间的掩埋层；在构图的正面层之上以及所述正面沟槽中沉积隔膜层；对所述背面层和所述掩埋层进行构图以形成背面沟槽，所述背面沟槽与所述正面沟槽对准；形成穿过所述隔膜层的多个纳米孔；在所述正面沟槽和所述背面沟槽中沉积牺牲材料；在所述牺牲材料之上沉积正面和背面绝缘层；以及将所述牺牲材料加热至所述牺牲材料的分解温度以去除所述牺牲材料并且形成正面和背面通道对，其中每一个通道对的所述正面通道通过单独的纳米孔而被连接到其相应通道对的所述背面通道。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 阵列 密封 流体 通道 | ||
【主权项】：
一种形成纳米孔阵列的方法，所述方法包括：对衬底的正面层进行构图以形成正面沟槽，所述衬底包括设置在所述正面层与背面层之间的掩埋层；在构图的正面层之上以及所述正面沟槽中沉积隔膜层；对所述背面层和所述掩埋层进行构图以形成背面沟槽，所述背面沟槽与所述正面沟槽对准；形成穿过所述隔膜层的纳米孔阵列的多个纳米孔；在所述正面沟槽和所述背面沟槽中沉积牺牲材料；在所述牺牲材料之上沉积正面和背面绝缘层；以及将所述牺牲材料加热至所述牺牲材料的分解温度以去除所述牺牲材料并且形成正面和背面通道对，其中每一个通道对的正面通道通过单独的纳米孔而被连接到其相应通道对的背面通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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