[发明专利]薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法

摘要

本发明提供薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法，所述薄膜形成装置、溅射阴极及薄膜形成方法能够在大型基板上以高成膜速率形成光学多层膜。一种薄膜形成装置1，其中，在真空槽21内，利用溅射在基板43上形成金属化合物的薄膜。真空槽21内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材63a、b和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与靶材63a、b相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种。活性种源具备供给反应性气体的气体源76、77和将能量供给至真空槽内从而将反应性气体激发为等离子体状态的能量源80。能量源80在与真空槽21之间具备用于将能量供给至真空槽21内的电介质窗，该电介质窗按照与基板43平行、或以相对于基板43呈小于90°的角度向靶材63a、b侧倾斜的方式配置。

主权项

一种薄膜形成装置，其是在真空槽内，经溅射而在基板上形成金属化合物的薄膜的薄膜形成装置，该薄膜形成装置的特征在于，在所述真空槽内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材、和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与该靶材相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种；所述活性种源具备供给所述反应性气体的气体源、和将能量供给至所述真空槽内从而将所述反应性气体激发为等离子体状态的能量源；所述能量源在与所述真空槽之间具备用于将所述能量供给至所述真空槽内的电介质窗；该电介质窗按照与所述基板平行、或以相对于所述基板呈小于90°的角度向所述靶材侧倾斜的方式配置。