[发明专利]制造结晶硅锭的设备有效

专利信息
申请号: 201280019569.1 申请日: 2012-04-18
公开(公告)号: CN103547712A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 叶戈尔·弗拉基米罗夫;亚历山大·泰克西拉;凯·约翰森;普里亚·霍马尤尼法尔 申请(专利权)人: REC沃佛普特有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/06
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 郭国清;穆德骏
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明涉及通过定向凝固制造结晶硅锭的设备,其中结晶炉的熔体和碳质结构件通过应用气体管路而受保护以免受所述熔体的烟雾影响,所述气体管路将所述烟雾直接引出所述炉子的定向凝固隔室。
搜索关键词: 制造 结晶 设备
【主权项】:
一种通过定向凝固制造结晶硅锭的设备,其中‑所述设备包括至少一个能够容纳坩埚的具有一个或多个隔热侧壁的隔室,且‑其中所述隔室包括:i)加热装置,ii)至少一个用于将吹扫气体供应到所述隔室的入口,和iii)一个或多个用于自所述隔室提取气体的出口,其特征在于所述隔室还包括:‑通过在以下元件之间的连续外周开口形成的气体管路[wq1]:‑上部遮蔽元件,其在所述坩埚上方一定距离处放置,且覆盖所述隔室的水平横截面积以将其分隔成两个叠置的次隔室,其中所述上部次隔室具有加热装置,和‑下部遮蔽元件,其在所述上部遮蔽元件下方一定距离处且沿所述坩埚的外表面放置,并覆盖在所述坩埚的外表面与所述隔室的一个或多个隔热侧壁的内表面之间形成的横截面积,‑位于所述气体管路或所述一个或多个出口中的流动约束段,以在所述气体管路或一个或多个出口中提供横截面积A,A=P·d,其中P为所述坩埚的周长,其单位为mm,且d为0.5至50mm,且其中‑所述一个或多个用于供应吹扫气体的入口位于所述坩埚上方,且‑所述一个或多个用于提取气体的出口位于在所述上部遮蔽元件与所述下部遮蔽元件之间的所述隔室的一个或多个隔热侧壁上。
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