[发明专利]薄膜晶体管构造、以及具备该构造的薄膜晶体管和显示装置

摘要

提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，形成保护膜等时不需要氧化处理层，也能够使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧开始依次具备氧化物半导体层、源／漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于，所述氧化物半导体层是Zn占金属元素整体的含有量在50原子％以上、且形成在源／漏电极及保护膜侧的第1氧化物半导体层、和包含从由In、Ga及Zn构成的组中选择的至少1种元素、且形成在基板侧的第2氧化物半导体层的层叠体，并且所述第1氧化物半导体层和所述源／漏电极及保护膜直接接触。

主权项

一种薄膜晶体管构造，在基板上至少从基板侧开始依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的特征在于，所述氧化物半导体层是第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层形成在源/漏电极及保护膜侧，该第2氧化物半导体层由从由In、Ga及Zn构成的组中选择的至少1种元素构成、且形成在基板侧，并且所述第1氧化物半导体层和所述源/漏电极及保护膜直接接触，所述第1氧化物半导体层的金属元素由Zn和从由Al、Ga以及Sn构成的组中选择的1种以上的元素构成，并且Zn占金属元素整体的含有量在50原子％以上且不包括100原子％。