[发明专利]导电性构件、导电性构件的制造方法、组成物、触摸屏及太阳电池有效
| 申请号： | 201280020088.2 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103597550B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 田中智史;中平真一;松并由木;浅井智仁 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;G06F3/041;H01B1/00;H01B1/16;H01B13/00;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种导电性构件、导电性构件的制造方法、组成物、触摸屏及太阳电池。一种导电性构件，其包括基材；以及设置于所述基材上的导电性层；所述导电性层含有（i）平均短轴长度为150nm以下的金属纳米线、及（ii）粘合剂，且所述粘合剂包含三维交联结构，该三维交联结构含有以下述通式（Ia）所表示的部分结构、及以下述通式（IIa）或通式（IIb）所表示的部分结构。式中，M1及M2分别独立地表示选自由Si、Ti及Zr所组成的组群中的元素，R3分别独立地表示氢原子或烃基。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 构件 制造 方法 触摸屏 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种导电性构件，其包括：基材；以及设置于所述基材上的导电性层；所述导电性层含有(i)平均短轴长度为150nm以下的金属纳米线、及(ii)粘合剂，且所述粘合剂包含三维交联结构，所述三维交联结构含有以下述通式(Ia)所表示的部分结构、及以下述通式(IIa)或通式(IIb)所表示的部分结构，式中，M1及M2分别独立地表示选自由Si、Ti及Zr所组成的组群中的元素，R3分别独立地表示氢原子或烃基，其中以通式(Ia)所表示的部分结构中所含有的元素M1的含量相对于以通式(IIa)所表示的部分结构、及以通式(IIb)所表示的部分结构中所含有的元素M2的总含量的摩尔比(M1/M2)为0.01/1～100/1，且在所述基材与所述导电性层之间，还包含至少1层的中间层，所述中间层与所述导电性层接触、且包含具有可与所述金属纳米线相互作用的官能基的化合物。
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