[发明专利]形成背接触太阳能电池发射极的方法有效
申请号: | 201280020157.X | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN103493216B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 李波;彼得·J·库西宁;大卫·D·史密斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;顾丽波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了形成背接触太阳能电池的发射极的方法。在一个实施例中,一个方法包括在基板上方形成第一固态掺杂剂源。所述第一固态掺杂剂源包括通过间隙分开的多个区域。通过印刷而在所述基板上方形成第二固态掺杂剂源的区域。 | ||
搜索关键词: | 形成 接触 太阳能电池 发射极 方法 | ||
【主权项】:
一种形成背接触太阳能电池发射极的方法,所述方法包括:通过化学气相沉积在基板上方形成第一导电类型的第一固态掺杂剂源,所述第一固态掺杂剂源包括通过间隙分开的多个区域;通过印刷而在所述基板上方的仅所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域的所述间隙中形成不与所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域接触的第二导电类型的第二固态掺杂剂源的区域,其中所述第一导电类型与所述第二导电类型相反;以及在所述第二固态掺杂剂源的所述区域与所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域之间形成部分地处于所述基板中的沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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