[发明专利]非氧化物单晶基板的研磨方法有效
| 申请号： | 201280020186.6 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103493183A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 吉田伊织;竹宫聪;朝长浩之 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑且表面性状优异的高品质的表面的研磨方法。该研磨方法是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液、使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液含有氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 单晶基板 研磨 方法 | ||
【主权项】：
非氧化物单晶基板的研磨方法，它是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液，使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触，通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液包含氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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