[发明专利]研磨剂及研磨方法有效
| 申请号： | 201280020737.9 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103503118A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 吉田伊织;竹宫聪;朝长浩之 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑的表面的研磨剂。该研磨剂的特征在于，含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨剂 研磨 方法 | ||
【主权项】：
研磨剂，其用于以化学机械方式对非氧化物单晶基板进行研磨，其特征在于，含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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