[发明专利]反射率调制光栅反射镜

摘要

本发明涉及包括用于调制激光器输出的反射率调制光栅反射镜(1)的垂直腔激光器(VCL)。腔由底部反射镜(4)、有源区(3)、和外耦合顶部光栅反射镜(1)形成，外耦合顶部光栅反射镜由层结构中的周期性折射率光栅区形成，层结构包括p型和n型掺杂半导体层，具有设置于其间的电光材料层(12)。光栅区包括光栅结构，光栅结构由周期性孔形成，以周期性地在垂直于振动轴的方向上改变折射率。调制电压(91)为反向偏压，施加在n型和p型掺杂层之间，以调制电光材料层(12)的折射率，从而调制光栅反射镜(1)的反射率谱。光栅反射镜(1)的反射率可以调制到几乎没有或没有外耦合的反射率与具有正常外耦合的反射率之间，其中，垂直腔激光器中的激光在第一和第二反射率处都得到支持。由于外耦合反射镜调制输出，激光不必被调制，本发明提供高调制速度下较低功率消耗的优点。

主权项

一种具有反射率调制光栅反射镜的垂直腔激光器(VCL)，包括：腔，所述腔由形成于衬底上不同层中的第一和第二反射器和有源区形成，所述有源区形成于所述腔中，所述腔设置为支持沿着垂直于所述衬底的振动轴的光振动，其中所述第一反射器是由层结构中折射率光栅区形成的外耦合光栅反射镜，所述外耦合光栅反射镜包括p型掺杂半导体层和n型掺杂半导体层，具有设置于其间的电光材料层，所述光栅区包括由多个孔形成的一维或二维光栅结构，以致折射率在所述光栅区中在垂直于所述振动轴方向上周期性地或非周期性地变化；及电接触，所述电接触用于独立地向所述电光材料层和所述有源区施加电偏压，其中所述光栅反射镜的所述p型掺杂半导体层和所述n型掺杂半导体层充当用于所述电光材料层的电接触。