[发明专利]NdFeB系烧结磁体有效
| 申请号： | 201280021354.3 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103650072A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 佐川真人;沟口彻彦 | 申请（专利权）人： | 因太金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/08 | 分类号： | H01F1/08;B22F1/00;B22F3/00;C22C33/02;H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种NdFeB烧结磁体，其为利用晶界扩散法制造的NdFeB烧结磁体，其具有高矫顽力和矩形比，最大磁能积的降低少。本发明的NdFeB烧结磁体的特征在于，其为通过晶界扩散处理而使附着在基材表面的Dy和/或Tb（以下，将“Dy和/或Tb”记为“RH”）扩散到该基材内部的晶界的NdFeB烧结磁体，所述基材是通过将NdFeB合金的粉末进行取向、烧结而制造的，从附着有RH的面至深度3mm为止的范围内，晶界中的RH浓度Cgx(wt%)与同一深度的、构成基材的粒子即主相粒子中的RH浓度Cx(wt%)之差Cgx-Cx为3wt%以上。 | ||
| 搜索关键词： | ndfeb 烧结 磁体 | ||
【主权项】：
一种NdFeB系烧结磁体，其特征在于，其为通过晶界扩散处理而使附着在基材表面的Dy和/或Tb扩散至该基材内部的晶界的NdFeB系烧结磁体，所述基材是通过将NdFeB系合金的粉末进行取向、烧结而制造的，以下，将“Dy和/或Tb”记为“RH”，从附着有RH的面至深度3mm为止的范围内，晶界中的RH浓度Cgx(wt%)与同一深度的、构成基材的粒子即主相粒子中的RH浓度Cx(wt%)之差Cgx‑Cx为3wt%以上。
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