[发明专利]双极穿通半导体器件和用于制造这样的半导体器件的方法

摘要

提供用于制造双极穿通半导体器件的方法，其中进行下面的步骤：（a）提供具有第一和第二侧（11，2）的第一高掺杂晶圆（10），其至少在第一侧（11）上采用第一导电类型的第一微粒掺杂，（b）提供第一导电类型的第二低掺杂晶圆（20），其具有第三侧和第四侧，（c）形成晶圆叠层，其通过使第一晶圆（10）在其第一侧（11）上与第二晶圆（20）在其第四侧（22）上接合在一起而具有晶圆叠层厚度，（d）之后进行扩散步骤，由此形成扩散的间隙层（31），其包括第一晶圆（10）的第一侧部分和第二晶圆（20）的第四侧部分，其中在完成器件中具有未更改掺杂浓度的第二晶圆的那部分形成漂移层（2），（e）之后在第三侧（21）上形成第二导电类型的至少一个层，（f）之后在间隙层（31）内且第二晶圆（20）内从第二侧（12）减少晶圆叠层厚度使得形成缓冲层（3），其包括在第四侧（22）上具有比漂移层（2）更高的掺杂浓度的晶圆叠层的剩余部分。

主权项

 一种用于制造双极半导体器件的方法，所述双极半导体器件具有至少双层结构，其具有第一和第二导电类型的层，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，其中为了形成所述半导体器件，进行下面的步骤：（a）提供第一高掺杂晶圆（10），所述第一高掺杂晶圆（10）具有第一侧（11）和与所述第一侧（11）相对的第二侧（12）并且所述第一高掺杂晶圆（10）至少在所述第一侧（11）上采用第一导电类型的第一微粒来掺杂， (b) 提供第一导电类型的第二低掺杂晶圆（20），其具有第三侧（21）和与所述第三侧（21）相对的第四侧（22），(c)形成晶圆叠层，其通过使第一晶圆（10）在其第一侧（11）上与第二晶圆（20）在其第四侧（22）上接合在一起而具有晶圆叠层厚度，(d)之后进行扩散步骤，由此形成扩散的间隙层（31），所述扩散的间隙层（31）包括所述第一晶圆（10）的第一侧部分和所述第二晶圆（20）的第四侧部分，其中所述间隙层（31）具有的掺杂浓度高于原始第二晶圆的掺杂浓度并且低于原始第一晶圆的掺杂浓度，其中在完成的器件中具有未更改掺杂浓度的第二晶圆的该部分形成漂移层（2），(e)之后在所述第三侧（21）上形成第二导电类型的至少一个层，(f)之后在所述间隙层（31）内且在所述第二晶圆（20）内从所述第二侧（12）减少晶圆叠层厚度使得形成缓冲层（3），其包括在第四侧（22）上具有比所述漂移层（2）更高的掺杂浓度的晶圆叠层的剩余部分。