[发明专利]非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201280021881.4 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103503149A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 金天弘;约翰·贤哲·洪;潘耀玲 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孙宝成 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于制造薄膜晶体管装置的系统、方法及设备。在一个方面中，提供衬底，其具有源极区域、漏极区域及介于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。所述衬底还包含氧化物半导体层、上覆在所述沟道区域上的第一电介质层，及在所述电介质层上的第一金属层。在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层上形成第二金属层。处理所述氧化物半导体层及所述第二金属层，以在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层中形成重掺杂n型氧化物半导体。还可在所述第二金属层中形成氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：提供衬底，所述衬底具有表面，所述表面包含源极区域、漏极区域及沟道区域，所述沟道区域介于所述源极区域与所述漏极区域之间，所述衬底包含在所述衬底的所述表面上的氧化物半导体层、在上覆在所述沟道区域上的所述氧化物半导体层上的第一电介质层，及在所述第一电介质层上的第一金属层；在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层上形成第二金属层；及处理所述氧化物半导体层及所述第二金属层，以形成：在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层中的重掺杂n型氧化物半导体；及在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述第二金属层中的氧化物。
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