[发明专利]集成等离子激元感测装置和设备无效
| 申请号： | 201280021910.7 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103502798A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·约瑟夫·华特丝 | 申请（专利权）人： | 集成等离子光子学公司 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552;G01N21/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 集成等离子激元感测装置被单片集成并提供无标记检测(消除对使用萤光或吸收标记的使用)并现场监测每一个检测区域处的条件。集成等离子激元感测装置包括设置在单片集成图像传感器(102)上的等离子激元底板(104)。一个或多个等离子激元散射区域(302)和与等离子激元散射区域横向偏离的一个或多个等离子激元过孔区域(304)设置在等离子激元感测装置中。导向等离子激元模态(414)调节通过等离子激元底板到一个或多个底层图像传感器像素的动力传输。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 等离子 激元感测 装置 设备 | ||
【主权项】：
一种等离子激元感测装置，包括：设置在单片集成图像传感器上的等离子激元底板，其中等离子激元底板包括等离子激元散射区域和等离子激元过孔区域，其中等离子激元散射区域包括第一金属层的至少一部分，而等离子激元过孔区域包括第一金属层的至少一部分和在第一金属层上方的第二金属层的至少一部分，以及其中等离子激元过孔区域还包括在第一金属层的所述一部分与第二金属层的所述一部分之间的介电层。
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